Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Epischichtwachstumsschmelze — epitaksijos lydalas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial growth melt vok. Epischichtwachstumsschmelze, f rus. расплав для эпитаксиального выращивания, m pranc. fusion pour dépôt de couche épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaksijos lydalas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial growth melt vok. Epischichtwachstumsschmelze, f rus. расплав для эпитаксиального выращивания, m pranc. fusion pour dépôt de couche épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial growth melt — epitaksijos lydalas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial growth melt vok. Epischichtwachstumsschmelze, f rus. расплав для эпитаксиального выращивания, m pranc. fusion pour dépôt de couche épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
fusion pour dépôt de couche épitaxiale — epitaksijos lydalas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial growth melt vok. Epischichtwachstumsschmelze, f rus. расплав для эпитаксиального выращивания, m pranc. fusion pour dépôt de couche épitaxiale, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… … Физическая энциклопедия
ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ — дозированное введение в полупроводник примесей или структурных дефектов с целью изменения их электрич. свойств. Наиб. распространено примесное Л. п. Электрич. свойства легированных полупроводников зависят от природы и концентрации вводимых… … Физическая энциклопедия
